鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體），由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿與市場前沿的交叉點，尋求創新yin*ling與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。
公司核心業務是微納技術與gao*duan精密制造，具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發設計和生產制造。
公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。
公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備*的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力。
公司主營業務
微納米材料與器件、微納米制造工藝、微納工藝裝備、工藝自動化及軟件系統
化合物半導體襯底材料和外延片
|化合物半導體系列
氮化鎵、碳化硅、氧化鎵、砷化鎵、金剛石等
|物理氣相沉積（PVD）系列
磁控濺射、電子束、熱蒸發、離子束濺射、離子輔助磁控濺射、多弧離子鍍、磁控濺射與離子束濺射復合、磁控濺射與多弧離子鍍復合
|化學氣相沉積（CVD）系列
PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、熱絲CVD、微波CVD
|超高真空系列
MBE分子束外延設備（科研型、生產型）、超高真空磁控濺射外延設備（10-8Pa）
|其它
ICP等離子刻蝕機、半導體合金退火爐、等離子清洗機、真空機械手、金剛石薄膜與厚膜生長設備
|團簇式設備系列
太陽能薄膜電池設備：PECVD+磁控濺射+樣品預處理+真空自動機械手
OLED中試設備：熱蒸發+電子束+磁控濺射+PECVD+樣品預處理+真空自動機械手+手套箱封裝室
綜合薄膜制備和器件制造實驗平臺：以內置真空機械手的樣品傳遞室為中心（配4～8個進出口），配置各真空工藝室
|技術服務
非標成套薄膜制備設備設計制造、薄膜制備設備升級改造、自動化軟硬件設計
承接工藝研發、樣品試制與打樣、進口設備真空零部件的維修和替換及控制系統更新
本科及研究生的畢業課題立項及實訓培養、工程師培訓
團隊部分業績分布
wan*quan自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）、射頻源等關鍵部件。真空度達到2×10-8Pa。
設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。
設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯合系統，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。
設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產設備。現使用單位中科院金屬研究所。
設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。現使用單位國家光電實驗室。
設計制造了OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備。現使用單位香港城市大學*材料實驗室。
設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現LED無機半導體發光材料與器件的研究和中試。現使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。
設計制造了磁控濺射研究型設備。現使用單位浙江大學半導體所。
設計制造了電子束蒸發儀研究型設備。現使用單位武漢理工大學。
團隊在第三代半導體裝備及工藝方面的技術積累
2001年 與南昌大學合作
設計了中試型的全自動化監控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。
2005年 與浙江大學光學儀器國家重點實驗室合作
設計制造了di*yi臺wan*quan自主知識產權的分子束外延設備，用于外延光電半導體材料。
2006年 與中國科技大學合作
設計設計超高溫CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生長。
2007年 與蘭州大學物理學院合作
設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發技術和CVD技術）。
2015年 中科院金屬研究所沈陽材料科學國家（聯合）實驗室合作
設計制造了金剛石薄膜制備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜。
2017年
-優化Rheed設計，開始生產型MBE設計。
-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進行設備工藝驗證。
2019年 設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備。
2021年 MBE生產型設計。
2022年 大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。
2023年 PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關。
