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i線步進式光刻機NSR-SF155適用于廣泛的半導體器件的制造

2001年12月5日，ASML推出了款具有110nm分辨率的KrF(248nm)StepScan300mm雙級光刻系統

支持多重曝光、實現了超高精度與高產出的ArF液浸式掃描光刻機ArF液浸式掃描光刻機NSR-S622DArF液浸式掃描光刻機NSR-S622D專為20nm以下制程...

PAS5500/750FDUV步進掃描系統使用成熟的248nmKrF技術，可以實現130nm的大規模生產

尼康NikonArF掃描光刻機NSR-S322F裝載了在液浸式裝置中取得優秀業績的StreamlignPlatform，同時進一步提高了重合精度與生產效率

佳能半導體光刻設備，高分辨率/高生產率KrF掃描儀FPA-6300ES6a二手翻新現貨優勢特點：FPA-6300ES6a掃描儀提供高生產力通過使用新設計的Ret...

佳能半導體光刻設備-步進式光刻機FPA-3030EX6，專用于物聯網設備的KrF光刻機，分辨率達到150nm，可用電腦進行遠程操控

佳能i線步進式光刻機FPA-5550iZ2生產效率高，重疊精度高，能夠快速完成晶圓的測量和校準，減少了晶圓處理的時間

二手現貨佳能光刻機FPA-5510iX，可在50mmx50mm的大曝光場上提供0.5um的分辨率在單次曝光中曝光大視野的能力為FPA-5510iX提供了很大的優...

佳能二手翻新光刻機FPA-5520iV，用于高級封裝的i-line步進器，具有支持高分辨率和大曝光場的可選陣容，現貨支持

二手翻新佳能i線步進式光刻機FPA-8000iW處理515*510mm的大型面板基板，可實現大封裝PLP生產，同時具備1.0μm的分辨率，高效靈活

現有二手尼康Nikon翻新現貨光刻機NSR-1755i7一臺，價格大約$650,000左右，針對4寸/6寸晶圓，分辨率0.6umumLS

光刻機NSR-2005I8A用于集成電路生產中的微光刻工藝

NIKONNSRG8A步進式光刻機用于半導體功率器件制造工藝中的光刻工序，即將圖形投影到涂有光刻膠的硅片上的裝置，由此使得所需圖形區域的光刻膠曝光

德國suss公司的ma8光刻機，兼容4、6、8英寸wafer，Led光源，3個獨立波長(g、h、i)，可自定義