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詳細摘要： 上海伯東美國 HVA 不銹鋼真空閘閥 真空插板閥 11000 系列, 手動,氣動可選, 滿足高真空和超高真空應用, 清潔和高密封性保證 HVA 真空閘閥 與前級...

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詳細摘要： 太陽能電池又稱為 "太陽能芯片" 或 "光電池", 是一種利用太陽光直接發電的光電半導體薄片. 它只要被滿足一定照度條件的光照到, 瞬間就可輸出電壓及在有回路的...

詳細摘要： 上海某大學實驗室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮氣, 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL...

詳細摘要： 云南某實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用...

詳細摘要： 國內某大學采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經過高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導薄膜. 用這種方法所獲得的超導...

詳細摘要： 某機構采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射在柔性基材表面沉積多層 NSN70 隔熱膜, 制備出的 NSN70 隔熱膜具有陽光控制功能...

詳細摘要： 河南某大學研究室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉積壓力對磁控濺射 WS2 薄膜微觀結構、力學性能...

詳細摘要： 陜西某實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220射頻磁控濺射沉積方法在 SrTiO3基片上制備 YIG 薄膜, 研究不同濺射參數對薄膜表面形貌、...

詳細摘要： 華北某大學實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助磁控濺射沉積的方法在釹鐵硼磁體表面制備了耐腐蝕性良好的鋁錳合金薄膜.

詳細摘要： 四川某實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220輔助磁控濺射沉積方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片上原位沉積 MnZn 鐵氧體...

詳細摘要： 為了研究 Ag 元素對 TiSiN 薄膜結構及性能的影響, 江蘇某大學課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射法制備了不同 Ag...

詳細摘要： 銥 (Ir) 是一種很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波長范圍內, Ir 膜反射率比此波長范圍內常用材料 Au、Pt 都高, 雖比 Os 膜反射率...

詳細摘要： 在常見的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 幾種元素可以形成多種共價鍵材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 這些物質具有優...

詳細摘要： 合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。北京某大學實驗室在對硬韌ZrAlN ...

詳細摘要： 硅薄膜作為薄膜太陽能電池的核心材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電...

詳細摘要： 立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩定性/ 高的熱導率/ 在寬波長范圍內(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 ...

詳細摘要： 上海伯東美國 KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 ...

詳細摘要： 上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的...

詳細摘要： 上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜,...