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TRICONEX 3006 在開啟期間,器件具有限制電流上升的*大dI/dt額定值。這是為了在達(dá)到全電流之前允許器件的整體達(dá)到導(dǎo)通。如果超過該額定值,器件*靠近柵極觸點(diǎn)的區(qū)域?qū)⑦^熱,并因過電流而熔化。dI/dt的速率通常通過添加α來控制飽和電抗器(導(dǎo)通緩沖器),盡管GTO晶閘管的導(dǎo)通dI/dt沒有普通晶閘管嚴(yán)重,因?yàn)镚TO是由許多并聯(lián)的小晶閘管單元構(gòu)成的。飽和電抗器的復(fù)位通常對(duì)基于GTO的電路提出*小關(guān)斷時(shí)間要求。
在關(guān)斷期間,必須限制器件的正向電壓,直到電流消失。該限值通常為正向阻斷電壓額定值的20%左右。如果在關(guān)斷時(shí)電壓上升過快,由于高電壓和電流集中在器件的一小部分上,不是所有的器件都將關(guān)斷,并且GTO將失效,通常是爆炸性的。實(shí)質(zhì)的緩沖器器件周圍增加了電路,以限制關(guān)斷時(shí)電壓的上升。復(fù)位緩沖電路通常會(huì)對(duì)基于GTO的電路提出*低導(dǎo)通時(shí)間要求。
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