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1200度多溫區氮化鎵生長爐

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更新時間：2021-12-16 11:32:20瀏覽次數：95次

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產品介紹：1200攝氏度HLDG系列多溫區氮化鎵生長爐，適用于氮化鎵晶片生長，，性能優異，每年都獲得數以千計新客戶的*。功能與設計美觀的和諧統一，加上*性價比，使這一系列成為他們的最終選擇。
主要特點：

爐殼采用優質不銹鋼材料
雙層爐殼結構穩定，爐外表溫度低
優質耐腐蝕性強的真空纖維保溫材料
標準配置含一根工作管，兩端采用優質不銹鋼法蘭密封

工作管優質石英管
*電子繼電器
標準配置數字式PID控制器，可調節升溫曲線
多區控溫優化溫度分布（客戶化的尺寸設計）

技術參數：
1200攝氏度工作電壓：220(380)V/50HZ
發熱元件：HRE電阻絲
控溫精度：（＋－）1攝氏度。
升溫時間：30-60分鐘，溫度可達1200℃
產品用途：適用于納米材料、化學分析、物理測定、金屬燒結等實驗。同時可以根據用戶需求，可配套氣氛管路、流量計、真空系統。

 

型號

功率

爐膛有效尺寸
恒溫區（mm））

控制形式

HLDG-12A12Φ120*2000程控表
HLDG-12B14Φ150*2000程控表

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