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當前位置:深圳維爾克斯光電有限公司>>光學鏡片及晶體>>激光晶體>> Cr:LiSAF晶體Tm,Ho:KYW激光晶體、Cr:LiSAF晶體

Tm,Ho:KYW激光晶體、Cr:LiSAF晶體

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具體成交價以合同協議為準

產品型號Cr:LiSAF晶體

品       牌

廠商性質代理商

所  在  地深圳市

更新時間:2020-11-13 14:03:42瀏覽次數:146次

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Tm,Ho:KYW激光晶體、Cr:LiSAF晶體,激光晶體是激光內部光學增益的來源。與Tm3 +離子相比,Ho3 +離子通常具有更高的發射截面和更長的較高激光能級壽命。

海納光學代理的Tm,Ho:KYW激光晶體、Cr:LiSAF晶體激光晶體-有源激光介質是激光內部光學增益的來源。激光晶體或激光玻璃通常摻雜稀土離子(例如釹、鐿或鉺)或過渡金屬離子(鈦或鉻)。為了激發激光,有源增益介質必須處于非熱能分布中,即粒子數反轉。Optogama開發了不同的激光晶體主機和離子摻雜劑組合,用于基礎研究和工業應用。Tm,Ho:KYW晶體、Cr:LiSAF晶體是其中兩款比較有特色的激光晶體。

Tm,Ho:KYW激光晶體、Cr:LiSAF晶體

Cr3 +:LiSAF增益介質在近紅外線中具有較寬的發射帶,可通過鎖模技術廣泛地調節激光操作并產生約10 fs的光脈沖。Cr:LiSAF晶體可以以非常低的損耗水平(0.2%/ cm)生長,并且能夠構建高Q腔,從而導致激光閾值低至2 mW,斜率效率高于50%。此外,Cr:LiSAF的非線性折射率比Ti:藍寶石低約四倍,這減少了超短脈沖產生和放大中不想要的非線性。

 

與Tm3 +離子相比,Ho3 +離子通常具有更高的發射截面和更長的較高激光能級壽命。這些特征對于低閾值和有效的激光操作特別理想。但是,人們認識到,由于Ho3 +不具有與市售激光二極管的輸出*匹配的強吸收線,因此通常選擇Ho3 +與Tm3 +離子共摻雜以實現在2μm光譜范圍內有效工作。Tm-Ho系統中的能量傳遞路徑。 Tm,Ho:KYW晶體的特征是大而寬的極化吸收和發射帶,有效的能量傳遞Tm3 +→Ho3 +。

 

Tm,Ho:KYW晶體主要特點:

-大而寬的偏振吸收和發射帶

-有效能量傳遞TM3+→Ho3+

-高摻雜濃度低濃度淬火

-可根據要求提供定制水晶

 

Tm,Ho:KYW晶體主要應用:

- 2μm型遙感激光器(激光雷達技術)、計量和醫療應用

-中紅外光學參量振蕩器的泵浦源。

 

Tm,Ho:KYW晶體技術特性:

吸收峰波長 802 nm

峰值吸收截面 7.6×10-20厘米2

峰值吸收帶寬 ~4nm

激光波長 2060 nm

5~7能級時間 1.8毫秒

發射截面@2056 nm 4.7×10-20厘米2

折射率@1040 nm ng=2.05,nm=2.01,np=1.97

晶體結構 單斜

密度 6.5克/cm3

Mohs硬度 4-5

熱導率 ~3.3Wm-1K-1

DN/DT DNm/dt=-9.2×10-6 K-1

熱膨脹系數 αp=1.83×10-6 K-1、αm=10.29×10-6 K-1, 

αg=15.94×10-6 K-1

典型摻雜水平 5%[TM],0.5%[HO]

Tm,Ho:KYW晶體的吸收和發射曲線

 

Tm,Ho:KYW晶體產品規格:

定向 Ng-切割

透明孔徑 >90%

面尺寸公差 +0/-0.1毫米

長度公差 ±0.1毫米

平行度誤差 <10 arcsec

垂直度誤差 <10 arcmin

保護槽 <0,1 mm at 45?

表面質量 10-5 S-D

表面平整度 <λ/10@6328 nm

涂層 R<0,5%@802 nm+R<0,15%@2000-2100

利特 >10 J/cm2@2060 nm,10 ns

 

Tm,Ho:KYW晶體產品型號

SKU 面尺寸 長度 端面 摻雜 涂層 價格(RMB)

7855 3x3毫米 2毫米 直角切割 TM 5%,Ho 0 5% AR/Ar@802nm+2000-2100 nm 5600

7856 3x3毫米 2毫米 布魯斯特切 TM 5%Ho 0 5% 無涂層 4400

 

Cr:LiSAF晶體主要特點:

-寬吸收和發射帶

-非線性折射率比Ti:藍寶石低四倍。

-可根據要求提供定制水晶

Cr:LiSAF晶體主要應用:

-飛秒激光與CPA激光系統

 

Cr:LiSAF晶體技術特性:

吸收峰波長 670 nm

峰值吸收截面 5.5×10-20cm2

峰值吸收帶寬 ~100 nm

激光波長 830(780-920)nm

壽命4T2能級 67 μs

發射截面 5×10-20cm2

折射率 1.41

晶體結構 三角狀

密度 3.45公斤/厘米3

Mohs硬度 4

熱導率 4.6(x{e76f}a),5.1(x{e76f}c)Wm-1K-1

DN/DT -4,2×10-6K-1(no), -4,6×10-6 K-1(N)e)

熱膨脹系數 22×10-6(x{e76f}a)K-1, 3.6×10-6(x{e76f}c)K-1

典型摻雜水平 0.8%-1.5%

Cr:LiSAF晶體的吸收和發射曲線

 

Cr:LiSAF晶體產品規格:

方向 b切

透明孔徑 >90%

面尺寸公差 +0/-0.1毫米

長度公差 ±0.1毫米

平行度誤差 <10 arcsec

垂直度誤差 <10 arcmin

保護槽 <0.1 mm at 45?

表面質量 10-5 S-D

表面平整度 <λ/8@6328 nm

波前畸變 <λ/4@6328 nm

涂層 Ar(R<0.5%)@450~800 nm

激光損傷閾值 >10 J/cm2@1064 nm,10 ns

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