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考夫曼離子源用于純鈦表面氨基化改性的研究 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源用于純鈦表面氨基化改性的研究
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-16 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源用于鐘表行業(yè)鍍制納米薄膜 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP 220 用于鐘表行業(yè)鍍制納米薄膜
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-16 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源在 PCB 鉆頭銑刀上的應(yīng)用 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源在 PCB 鉆頭銑刀上的應(yīng)用
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-16 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼霍爾離子源用于玻璃基片清洗 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼霍爾離子源 eH 3000用于玻璃基片清洗
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源用于鍍制TiN薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP 140 用于鍍制 TiN 薄膜
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源輔助 DC/DC 混合電路生產(chǎn) 詳細(xì)摘要: 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 輔助 DC/DC 混合電路生產(chǎn)
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼離子源在磁控濺射玻璃鍍膜中的應(yīng)用 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFICP380 在磁控濺射玻璃鍍膜中的應(yīng)用
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源輔助 LED 封裝 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 輔助 LED 封裝
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源輔助鍍制 OSR 膜層 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助鍍制 OSR 膜層
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源用于修正高精度 CGH 基底 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFICP220 用于修正高精度 CGH 基底
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源用于清洗繼電器 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 用于清洗繼電器
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼離子源輔助濺射制備鋰硫電池正極片 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助濺射沉積制備鋰硫電池正極片
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源輔助濺射鍍制 Al2O3 薄膜 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFICP 380 輔助濺射鍍制 Al2O3 薄膜
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼聚焦離子源輔助濺射制備GdF3光學(xué)薄膜 詳細(xì)摘要: 考夫曼聚焦射頻離子源 RFCIP220輔助濺射制備 GdF3光學(xué)薄膜
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源已成功應(yīng)用在塑料光學(xué)鏡頭應(yīng)用 詳細(xì)摘要: KRI RFICP325 離子源已成功應(yīng)用在塑料光學(xué)鏡頭應(yīng)用
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼聚焦射頻離子源輔助制備原子探針樣品 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼聚焦射頻離子源 RFICP380 輔助制備原子探針樣品
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI考夫曼射頻離子源輔助濺射制備LaF3薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射制備 LaF3 薄膜
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射鍍制TC4表面TiN涂層 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 濺射鍍制 TC4 表面 TiN 涂層
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備 MnGe 量子點(diǎn) 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射制備 MnGe 量子點(diǎn)
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
射頻離子源制備高性能光通信帶通濾光膜 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 制備高性能光通信帶通濾光膜
產(chǎn)品型號: 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言